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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

多功能分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

功率器件流水線(xiàn)全靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

分立器件測(cè)試儀系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

半導(dǎo)體分立器件光耦適配器測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

功率電子器件正向壽命試驗(yàn)系統(tǒng) 測(cè)試一個(gè)器件周期為80ms，依次測(cè)試完成22個(gè)器件后結(jié)束測(cè)試，之后自動(dòng)切換到下一個(gè)設(shè)定電流下測(cè)試，直到測(cè)試完成。

碳化硅器件浪涌電流測(cè)試設(shè)備 主要是實(shí)現(xiàn)測(cè)試碳化硅器件在開(kāi)通瞬間產(chǎn)生最大承受電流Ipp及在關(guān)斷瞬間產(chǎn)生最大沖擊電流IC的實(shí)驗(yàn)。

高壓反偏設(shè)備 在設(shè)定電壓（反偏電壓一直加）下對(duì)22個(gè)器件的漏電流依次進(jìn)行測(cè)試 在設(shè)定電壓（反偏電壓一直加）下對(duì)22個(gè)器件的漏電流依次進(jìn)行測(cè)試

雪崩測(cè)試儀（電壓耐量測(cè)試設(shè)備） 設(shè)備滿(mǎn)足電壓在5000V及以下范圍內(nèi)二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件的測(cè)試需求。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制，具有波形顯示功能。

特大功率碳化硅器件測(cè)試儀系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

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SiC雪崩能力測(cè)試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

功率器件流水線(xiàn)自動(dòng)動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

電流耐量測(cè)試設(shè)備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

SiC 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。